半导体材料已发展到第三代，每一次半导体材料的突破带来的是一系列技术变革，也使尖端的新型器件研发面世成为可能。新应用标准，新材料特性，新设计和测试方式，新生产工艺流程，新半导体流片技术对测试设备和技术带来持续挑战。

半导体材料

半导体的检测与分析是一个介于基础研究与应用研究之间的设计内容很广而又不断蓬勃发展的领域，在半导体材料的研究中，电阻率，载流子密度和迁移率是测试的关键参数。目前对半导体材料进行物理和化学研究的方法有很多，如透射电镜、拉曼光谱、电化学C-V、X射线双晶衍射等。

现有的实验设备资源进行配置和集成，可覆盖量子材料、超导材料、半金属材料、纳米材料、薄膜材料、绝缘材料等大部分的半导体测试方法和应用。

半导体器件

对于传统半导体器件，主要通过执行IV、CV表征，实现快速、精准的全方位测量和分析功能。随着电子电力的发展，功率器件的使用越来越多，SiC、GaN等宽禁带半导体被广泛应用于射频，超高压等领域，为适应特高压输电，电动汽车充电桩等超高压应用，宽禁带材料一直是研究方向的热点。

作为专业的测试平台，将带您从测试的角度，去剖析并解决半导体从设计到生产过程中带来的一系列新问题。